日本富士通联合NIMS在美国发布无镝钕磁设计规则2016-01-14
东京，2016年1月12日（JCN电讯）消息，富士通公司今天宣布，与国家物质及材料研究机构（NIMS）和富士通实验室有限公司联合研究，开发出了世界上最大的反向磁化模拟装置，用网状物覆盖3亿微细区域。
该装置的开发基于（1）大规模反向磁化；（2）2013年开发的首个模拟技术；（3）这项新的发展提供了更快的计算算法和更有效的大规模并行处理，模拟在计算机“京”上运行；（4）此外，通过利用该技术，富士通进行大规模反向磁化模拟厘清了一种类型的永磁体即钕磁铁细微结构和磁力之间的关联；（5）结果成功地展示了一种方法，开发出两倍以上（矫顽力）于以往磁铁强度的钕磁铁，而且不含镝；(6)在常规的钕磁铁中，用于增强矫顽力的镝合金不可或缺。
这些仿真技术提供了一个明确的不依赖于镝的高性能钕磁铁的设计规则。
富士通和NIMS将在第13届联合MMM-INTERMAG大会联合发布这些结果，该会于2016年1月11-15日在加利福尼亚州圣迭戈举行。
元素的固有属性应该只能被更先进的元素超越替代，方法无法改变内质。对于钕磁是否需要用镝，不应该为了省镝、弃镝去做研究，而应该去深入研究有镝的益处；当然，可以不用的时候自然不用。